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強誘電体メモリ

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(きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random access memory)とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス(履歴効果)に因る正負の残留分極(自発分極)をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル(現・サイプレス・セミコンダクター)による商標で、日本では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用していた。強誘電体膜の分極反転時間は1ns以下であり、FeRAMはDRAM並みの高速動作が期待される。

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強誘電体メモリhttp://ja.wikipedia.org/)より引用

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