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バイポーラトランジスタ

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バイポーラトランジスタ(英: Bipolar transistor)、またはバイポーラジャンクショントランジスタ(英: Bipolar junction transistor; BJT)は、トランジスタの一種である。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体で、電流増幅・スイッチング機能を持つ。電界効果トランジスタなどのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。バイポーラトランジスタという呼び名(区分名称)は後に電界効果トランジスタが登場したことによるレトロニムであるが、その経緯通り最初に広く使われたトランジスタであったため、単にトランジスタと言えばバイポーラトランジスタを指すことが多い。

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